中电科48所在“天河”超级计算机的10万计算核心上实现了分子动力学、热扩散过程和晶体材料的大规模并行模拟，实现十亿原子的模拟计算，晶体材料模拟程序并行效率达35%。该系统支撑碳化硅第三代半导体制备机理和工艺上的突破，取得了重要发现，成功实现了大尺寸碳化硅离子注入半导体掺杂过程的数值模拟仿真及可视化等工作，将原模拟的离子浓度由1015个/cm3扩展到1018个/cm3，可模拟碳化硅晶片尺寸由4吋扩展8吋。